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产品分类
询价产品信息
BSP297H6327XTSA1
制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: PG-SOT-223-4
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 200 V
Id-连续漏极电流: 660 mA
Rds On-漏源导通电阻: 1.8 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压: 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 800 mV
Qg-栅极电荷: 12.9 nC
工作温度: - 55 C
工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 1.8 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
高度: 1.6 mm
长度: 6.5 mm
系列: BSP297
晶体管类型: 1 N-Channel
宽度: 3.5 mm
商标: Infineon Technologies
正向跨导 - 值: 470 mS
下降时间: 19 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 3.8 ns
工厂包装数量: 1000
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 49 ns
典型接通延迟时间: 5.2 ns
零件号别名: BSP297 H6327 SP001058622
单位重量: 112 mg
BSP297H6327XTSA1
BSP297H6327XTSA1
金属-氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管（field-effect transistor）。 [1] MOSFET依照其“通道”（工作载流子）的极性不同，可分为“N型”与“P型” 的两种类型，通常又称为NMOSFET与PMOSFET，其他简称上包括NMOS、PMOS等。